Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
SQR40N10-25_GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SQR40N10-25_GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 40A TO252 REV
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 40A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK) Reverse Lead
Inventar:
RFQ Online
12915819
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SQR40N10-25_GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3380 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
136W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252 (DPAK) Reverse Lead
Pachet / Carcasă
TO-252-4, DPAK (3 Leads + Tab)
Numărul de bază al produsului
SQR40
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
SQR40N10-25_GE3-DG
Fișe tehnice
SQR40N10-25_GE3
Informații suplimentare
Alte nume
SQR40N10-25_GE3-DG
SQR40N10-25-GE3
SQR40N10-25_GE3CT
SQR40N10-25_GE3DKR
SQR40N10-25_GE3TR
SQR40N10-25-GE3-DG
Pachet standard
2,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IXTY44N10T
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXTY44N10T-DG
PREȚ UNIC
0.98
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
FDB86102LZ
PRODUCĂTOR
Fairchild Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
6118
DiGi NUMĂR DE PARTE
FDB86102LZ-DG
PREȚ UNIC
0.83
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IXTA64N10L2
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
73
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXTA64N10L2-DG
PREȚ UNIC
7.89
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SIR696DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 125V 60A PPAK SO-8
SI7858ADP-T1-E3
MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8
SI9424BDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 5.6A 8SO
SQM40010EL_GE3
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK