Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
SQM85N15-19_GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SQM85N15-19_GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 150V 85A TO263
Descriere detaliată:
N-Channel 150 V 85A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
RFQ Online
12921623
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SQM85N15-19_GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
150 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
85A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
19mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
6285 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
375W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263 (D2PAK)
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
SQM85
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
SQM85N15-19_GE3-DG
Fișe tehnice
SQM85N15-19_GE3
Informații suplimentare
Alte nume
SQM85N15-19-GE3
SQM85N15-19_GE3-DG
SQM85N15-19_GE3TR
SQM85N15-19_GE3CT
SQM85N15-19-GE3-DG
SQM85N15-19_GE3DKR
Pachet standard
800
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRFS4321TRLPBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
5338
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFS4321TRLPBF-DG
PREȚ UNIC
1.59
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IPB200N15N3GATMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
1774
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPB200N15N3GATMA1-DG
PREȚ UNIC
1.30
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
FDB2532
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
3812
DiGi NUMĂR DE PARTE
FDB2532-DG
PREȚ UNIC
1.94
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IXTA102N15T
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
570
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXTA102N15T-DG
PREȚ UNIC
2.15
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SUD50N03-12P-E3
MOSFET N-CH 30V TO252
SIHW33N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 33A TO247AD
SIR426DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8
2N7002ET7G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3