Numărul de produs al producătorului:
SQM50N04-4M0L_GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SQM50N04-4M0L_GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CHANNEL 40V 50A TO263
Descriere detaliată:
N-Channel 40 V 50A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
12917493
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SQM50N04-4M0L_GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
40 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
4mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
6100 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
150W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263 (D2PAK)
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
SQM50
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
800
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IXTA160N04T2
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
7
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXTA160N04T2-DG
PREȚ UNIC
1.78
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI4484EY-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 4.8A 8SO
SIR440DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8
SI2343DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3
