Numărul de produs al producătorului:
SQM120N03-1M5L_GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SQM120N03-1M5L_GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 120A TO263
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263
Inventar:
12920136
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SQM120N03-1M5L_GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
270 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
15605 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
375W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
SQM120
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SQM120N03-1M5L-GE3
SQM120N03-1M5L_GE3CT
SQM120N03-1M5L-GE3-DG
SQM120N03-1M5L_GE3TR
SQM120N03-1M5L_GE3DKR
SQM120N03-1M5L_GE3-DG
Pachet standard
800
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
PSMN1R5-30BLEJ
PRODUCĂTOR
Nexperia USA Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
9771
DiGi NUMĂR DE PARTE
PSMN1R5-30BLEJ-DG
PREȚ UNIC
2.01
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
BUK7607-55B,118
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
SISHA10DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 25A/30A PPAK
SI3127DV-T1-GE3
MOSFET P-CH 60V 3.5A/13A 6TSOP
