SQJA68EP-T1_BE3
Numărul de produs al producătorului:

SQJA68EP-T1_BE3

Product Overview

Producător:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Cod de parte:

SQJA68EP-T1_BE3-DG

Descriere:

N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 14A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventar:

2278 Piese Noi Originale În Stoc
13000235
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

SQJA68EP-T1_BE3 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
14A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
92mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
280 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
45W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® SO-8
Pachet / Carcasă
PowerPAK® SO-8

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
742-SQJA68EP-T1_BE3CT
742-SQJA68EP-T1_BE3DKR
742-SQJA68EP-T1_BE3TR
Pachet standard
3,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
diodes

DMT4008LFDF-13

MOSFET BVDSS: 31V~40V U-DFN2020-

diodes

DMN3069L-13

MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R

taiwan-semiconductor

TSM4806CS

20V, 28A, SINGLE N-CHANNEL POWER

goford-semiconductor

G65P06K

P60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2V~-3.