Numărul de produs al producătorului:
SQJ960EP-T1_GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SQJ960EP-T1_GE3-DG
Descriere:
MOSFET 2N-CH 60V 8A PPAK SO8
Descriere detaliată:
Mosfet Array 60V 8A 34W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Inventar:
4430 Piese Noi Originale În Stoc
12917772
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SQJ960EP-T1_GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 N-Channel (Dual)
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
8A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
36mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
735pF @ 25V
Putere - Max
34W
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
PowerPAK® SO-8 Dual
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® SO-8 Dual
Numărul de bază al produsului
SQJ960
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SQJ960EP-T1-GE3
SQJ960EP-T1_GE3DKR
SQJ960EP-T1-GE3-DG
SQJ960EP-T1_GE3CT
SQJ960EP-T1_GE3TR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI4500BDY-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8-SOIC
SIA915DJ-T4-GE3
MOSFET 2P-CH 30V 3.7A SC70-6
SQJ914EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK SO8
