Numărul de produs al producătorului:
SQJ401EP-T2_GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SQJ401EP-T2_GE3-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 12V 32A PPAK SO-8
Descriere detaliată:
P-Channel 12 V 32A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventar:
13277344
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SQJ401EP-T2_GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
12 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
6mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
164 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
10015 pF @ 6 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
83W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® SO-8
Pachet / Carcasă
PowerPAK® SO-8
Numărul de bază al produsului
SQJ401
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
742-SQJ401EP-T2_GE3TR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
SQJ401EP-T1_GE3
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
364
DiGi NUMĂR DE PARTE
SQJ401EP-T1_GE3-DG
PREȚ UNIC
0.77
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SQJ456EP-T2_GE3
MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8
SIHLR120-GE3
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
SIHF530-GE3
MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB