SQD50P06-15L_T4GE3
Numărul de produs al producătorului:

SQD50P06-15L_T4GE3

Product Overview

Producător:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Cod de parte:

SQD50P06-15L_T4GE3-DG

Descriere:

P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Descriere detaliată:
P-Channel 60 V 50A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventar:

9388 Piese Noi Originale În Stoc
12977752
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

SQD50P06-15L_T4GE3 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
15.5mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
5910 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
136W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252AA
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
742-SQD50P06-15L_T4GE3DKR
742-SQD50P06-15L_T4GE3TR
742-SQD50P06-15L_T4GE3CT
Pachet standard
2,500

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
vishay-siliconix

IRFR9014PBF-BE3

P-CHANNEL 60V

vishay-siliconix

SIHP065N60E-BE3

N-CHANNEL 600V

vishay-siliconix

SI2301BDS-T1-BE3

P-CHANNEL 2.5-V (G-S) MOSFET

vishay-siliconix

SQJ402EP-T1_BE3

N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE