Numărul de produs al producătorului:
SQD07N25-350H_GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SQD07N25-350H_GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 250V 7A TO252AA
Descriere detaliată:
N-Channel 250 V 7A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventar:
12965545
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SQD07N25-350H_GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
250 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
350mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1205 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
71W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252AA
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
SQD07
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SQD07N25-350H_GE3DKR
SQD07N25-350H_GE3TR
SQD07N25-350H_GE3CT
SQD07N25-350H_GE3-DG
Pachet standard
2,000
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
PJQ2416_R1_00001
DFN2020B-6L, MOSFET
IPT014N08NM5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 37A/331A HSOF-8
SIRA58ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 40V 32.3A/109A PPAK
