Numărul de produs al producătorului:
SQ4946AEY-T1_BE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SQ4946AEY-T1_BE3-DG
Descriere:
MOSFET 2N-CH 60V 7A 8SOIC
Descriere detaliată:
Mosfet Array 60V 7A (Tc) 4W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
12970560
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SQ4946AEY-T1_BE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Obsolete
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 N-Channel (Dual)
Caracteristică FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
40mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
750pF @ 25V
Putere - Max
4W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pachet dispozitiv furnizor
8-SOIC
Numărul de bază al produsului
SQ4946
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
742-SQ4946AEY-T1_BE3CT
742-SQ4946AEY-T1_BE3TR
742-SQ4946AEY-T1_BE3DKR
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
PJQ4848P-AU_R2_000A1
MOSFET 2N-CH 40V 9A/37A 8DFN
PJX8807_R1_00001
MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SOT563
PJQ5866A_R2_00001
MOSFET 2N-CH 60V 7A/40A 8DFN