Numărul de produs al producătorului:
SQ4153EY-T1_GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SQ4153EY-T1_GE3-DG
Descriere:
MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC
Descriere detaliată:
P-Channel 12 V 25A (Tc) 7.1W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
560 Piese Noi Originale În Stoc
12953891
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SQ4153EY-T1_GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
12 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
8.32mOhm @ 14A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
151 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
11000 pF @ 6 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
7.1W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-SOIC
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numărul de bază al produsului
SQ4153
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SQ4153EY-T1_GE3DKR
SQ4153EY-T1_GE3TR
SQ4153EY-T1_GE3CT
SQ4153EY-T1_GE3-DG
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
SQ4153EY-T1_BE3
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
474
DiGi NUMĂR DE PARTE
SQ4153EY-T1_BE3-DG
PREȚ UNIC
0.55
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFIB7N50APBF
MOSFET N-CH 500V 6.6A TO220-3
ZVN2106ASTOA
MOSFET N-CH 60V 450MA E-LINE
SQJ850EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 24A PPAK SO-8
