Numărul de produs al producătorului:
SQ2361AEES-T1_GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SQ2361AEES-T1_GE3-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 60V 2.8A SSOT23
Descriere detaliată:
P-Channel 60 V 2.8A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount
Inventar:
69168 Piese Noi Originale În Stoc
12786746
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SQ2361AEES-T1_GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Last Time Buy
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
2.8A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
170mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
620 pF @ 30 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TA)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numărul de bază al produsului
SQ2361
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SQ2361AEES-T1_GE3DKR
SQ2361AEES-T1-GE3
SQ2361AEES-T1_GE3-DG
SQ2361AEES-T1_GE3TR
SQ2361AEES-T1_GE3CT
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
SQ2361AEES-T1_BE3
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
5051
DiGi NUMĂR DE PARTE
SQ2361AEES-T1_BE3-DG
PREȚ UNIC
0.17
TIP SUBSTITUT
Direct
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SIHFR420TRL-GE3
MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
SIHB22N60EL-GE3
MOSFET N-CH 600V 21A TO263
SIHA17N80E-E3
MOSFET N-CHANNEL 800V 15A TO220
