Numărul de produs al producătorului:
SQ2337ES-T1_BE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SQ2337ES-T1_BE3-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Descriere detaliată:
P-Channel 80 V 2.2A (Tc) 3W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventar:
284851 Piese Noi Originale În Stoc
12939256
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SQ2337ES-T1_BE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
80 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
2.2A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
290mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
620 pF @ 40 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
SOT-23-3 (TO-236)
Pachet / Carcasă
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numărul de bază al produsului
SQ2337
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
742-SQ2337ES-T1_BE3DKR
742-SQ2337ES-T1_BE3CT
742-SQ2337ES-T1_BE3TR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SQ3426EV-T1_BE3
MOSFET N-CHANNEL 60V 7A 6TSOP
SQ3481EV-T1_BE3
MOSFET P-CHANNEL 30V 7.5A 6TSOP
SI2336DS-T1-BE3
MOSFET N-CH 30V 4.3A/5.2A SOT23