SQ2308CES-T1_BE3
Numărul de produs al producătorului:

SQ2308CES-T1_BE3

Product Overview

Producător:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Cod de parte:

SQ2308CES-T1_BE3-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 2.3A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Inventar:

81357 Piese Noi Originale În Stoc
12939392
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

SQ2308CES-T1_BE3 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
2.3A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
150mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
5.3 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
205 pF @ 30 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
SOT-23-3 (TO-236)
Pachet / Carcasă
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numărul de bază al produsului
SQ2308

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
742-SQ2308CES-T1_BE3TR
742-SQ2308CES-T1_BE3CT
742-SQ2308CES-T1_BE3DKR
Pachet standard
3,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
vishay-siliconix

SQ9407EY-T1_BE3

MOSFET P-CH 60V 4.6A 8SOIC

vishay-siliconix

SQ2303ES-T1_BE3

MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3

vishay-siliconix

IRFBC20PBF-BE3

MOSFET N-CH 600V 2.2A TO220AB

vishay-siliconix

SQ2301ES-T1_BE3

MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT23-3