Numărul de produs al producătorului:
SQ2301ES-T1_GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SQ2301ES-T1_GE3-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 20V 3.9A TO236
Descriere detaliată:
P-Channel 20 V 3.9A (Tc) 3W (Tc) Surface Mount TO-236 (SOT-23)
Inventar:
6870 Piese Noi Originale În Stoc
12786214
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SQ2301ES-T1_GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
3.9A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
8 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
425 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TA)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-236 (SOT-23)
Pachet / Carcasă
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numărul de bază al produsului
SQ2301
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
742-SQ2301ES-T1_GE3DKR
742-SQ2301ES-T1_GE3CT
SQ2301ES-T1_GE3CT
742-SQ2301ES-T1_GE3TR
SQ2301ES-T1_GE3TR
SQ2301ES-T1_GE3TR-DG
SQ2301ES-T1_GE3CT-DG
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SIHP30N60E-E3
MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB
SUD50N025-06P-E3
MOSFET N-CH 25V 78A TO252
SIJ438ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 45.3A/169A PPAK