Numărul de produs al producătorului:
SISS30DN-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SISS30DN-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 80V 15.9A/54.7A PPAK
Descriere detaliată:
N-Channel 80 V 15.9A (Ta), 54.7A (Tc) 4.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Inventar:
12946 Piese Noi Originale În Stoc
12786241
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SISS30DN-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen IV
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
80 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
15.9A (Ta), 54.7A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
8.25mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1666 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
4.8W (Ta), 57W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® 1212-8S
Pachet / Carcasă
PowerPAK® 1212-8S
Numărul de bază al produsului
SISS30
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SISS30DN-T1-GE3DKR-DG
SISS30DN-T1-GE3DKR
SISS30DN-T1-GE3CT
742-SISS30DN-T1-GE3CT
SISS30DN-T1-GE3TR
742-SISS30DN-T1-GE3TR
SISS30DN-T1-GE3CT-DG
SISS30DN-T1-GE3TR-DG
742-SISS30DN-T1-GE3DKR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SIHB22N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 19A D2PAK
SQJ460AEP-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8
SIHH068N60E-T1-GE3
MOSFET N-CH 600V 34A PPAK 8 X 8
