SISH892BDN-T1-GE3
Numărul de produs al producătorului:

SISH892BDN-T1-GE3

Product Overview

Producător:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Cod de parte:

SISH892BDN-T1-GE3-DG

Descriere:

N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 6.8A (Ta), 20A (Tc) 3.4W (Ta), 29W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC

Inventar:

1081 Piese Noi Originale În Stoc
12990167
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

SISH892BDN-T1-GE3 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen IV
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
6.8A (Ta), 20A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
30.4mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
26.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1110 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.4W (Ta), 29W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® SO-8DC
Pachet / Carcasă
PowerPAK® SO-8

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
742-SISH892BDN-T1-GE3DKR
742-SISH892BDN-T1-GE3TR
742-SISH892BDN-T1-GE3CT
Pachet standard
3,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
nexperia

PSMNR98-25YLEX

PSMNR98-25YLE/SOT669/LFPAK

unitedsic

UJ4C075033B7S

750V/33MOHM, N-OFF SIC CASCODE,

nexperia

PSMN5R5-100YSFX

PSMN5R5-100YSF/SOT669/LFPAK

nexperia

PSMNR89-25YLEX

PSMNR89-25YLE/SOT669/LFPAK