SISA40DN-T1-GE3
Numărul de produs al producătorului:

SISA40DN-T1-GE3

Product Overview

Producător:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Cod de parte:

SISA40DN-T1-GE3-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 20V 43.7A/162A PPAK
Descriere detaliată:
N-Channel 20 V 43.7A (Ta), 162A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

Inventar:

87 Piese Noi Originale În Stoc
12787671
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

SISA40DN-T1-GE3 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen IV
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
43.7A (Ta), 162A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.1mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (Max)
+12V, -8V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3415 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.7W (Ta), 52W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® 1212-8
Pachet / Carcasă
PowerPAK® 1212-8
Numărul de bază al produsului
SISA40

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
SISA40DN-T1-GE3CT
SISA40DN-T1-GE3DKR
SISA40DN-T1-GE3TR
Pachet standard
3,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modele alternative

NUMĂRUL PARTEI
RQ3E100GNTB
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
3000
DiGi NUMĂR DE PARTE
RQ3E100GNTB-DG
PREȚ UNIC
0.11
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
RQ1C065UNTR
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
2855
DiGi NUMĂR DE PARTE
RQ1C065UNTR-DG
PREȚ UNIC
0.18
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
RQ3E160ADTB
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
17994
DiGi NUMĂR DE PARTE
RQ3E160ADTB-DG
PREȚ UNIC
0.23
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
RQ7E055ATTCR
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
326
DiGi NUMĂR DE PARTE
RQ7E055ATTCR-DG
PREȚ UNIC
0.36
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
vishay-siliconix

SIHG80N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 80A TO247AC

vishay-siliconix

SQJQ100EL-T1_GE3

MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8

vishay-siliconix

SUA70090E-E3

MOSFET N-CH 100V 42.8A TO220

vishay-siliconix

SIS443DN-T1-GE3

MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8