Numărul de produs al producătorului:
SIS822DNT-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIS822DNT-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 12A (Tc) 15.6W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventar:
12919572
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIS822DNT-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
24mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
435 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
15.6W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® 1212-8
Pachet / Carcasă
PowerPAK® 1212-8
Numărul de bază al produsului
SIS822
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
RF4E080BNTR
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
2036
DiGi NUMĂR DE PARTE
RF4E080BNTR-DG
PREȚ UNIC
0.22
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
RF4E075ATTCR
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
7776
DiGi NUMĂR DE PARTE
RF4E075ATTCR-DG
PREȚ UNIC
0.19
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI7388DP-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
SIHF5N50D-E3
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220
SQ4050EY-T1_GE3
MOSFET N-CHANNEL 40V 19A 8SOIC
