Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
SIS776DN-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIS776DN-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventar:
RFQ Online
12787581
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIS776DN-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
SkyFET®, TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
6.2mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1360 pF @ 15 V
Caracteristică FET
Schottky Diode (Body)
Disiparea puterii (max)
3.8W (Ta), 52W (Tc)
Temperatura
-50°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® 1212-8
Pachet / Carcasă
PowerPAK® 1212-8
Numărul de bază al produsului
SIS776
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
SIS776DN-T1-GE3-DG
Fișe tehnice
SIS776DN-T1-GE3
Informații suplimentare
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
RQ3E130BNTB
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
1954
DiGi NUMĂR DE PARTE
RQ3E130BNTB-DG
PREȚ UNIC
0.15
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
CSD17578Q3A
PRODUCĂTOR
Texas Instruments
CANTITATE DISPONIBILĂ
24950
DiGi NUMĂR DE PARTE
CSD17578Q3A-DG
PREȚ UNIC
0.18
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
CSD17578Q3AT
PRODUCĂTOR
Texas Instruments
CANTITATE DISPONIBILĂ
1956
DiGi NUMĂR DE PARTE
CSD17578Q3AT-DG
PREȚ UNIC
0.46
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
CSD17552Q3A
PRODUCĂTOR
Texas Instruments
CANTITATE DISPONIBILĂ
2037
DiGi NUMĂR DE PARTE
CSD17552Q3A-DG
PREȚ UNIC
0.32
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
STL11N3LLH6
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
2745
DiGi NUMĂR DE PARTE
STL11N3LLH6-DG
PREȚ UNIC
0.49
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SQM40022E_GE3
MOSFET N-CH 40V 150A TO263
SIHW47N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 47A TO247AD
SIHB33N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK
SIHG47N60AEF-GE3
MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC