Numărul de produs al producătorului:
SIS612EDNT-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIS612EDNT-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 20V 50A PPAK1212-8S
Descriere detaliată:
N-Channel 20 V 50A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Inventar:
12786535
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIS612EDNT-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
3.9mOhm @ 14A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±12V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2060 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.7W (Ta), 52W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® 1212-8S
Pachet / Carcasă
PowerPAK® 1212-8S
Numărul de bază al produsului
SIS612
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SIS612EDNT-T1-GE3-DG
SIS612EDNT-T1-GE3CT
SIS612EDNT-T1-GE3TR
SIS612EDNT-T1-GE3DKR
Q8619879
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
SISA26DN-T1-GE3
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
5682
DiGi NUMĂR DE PARTE
SISA26DN-T1-GE3-DG
PREȚ UNIC
0.25
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SUM110P08-11-E3
MOSFET P-CH 80V 110A TO263
SIHB12N50E-GE3
MOSFET N-CH 500V 10.5A D2PAK
SQJ461EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 60V 30A PPAK SO-8
