Numărul de produs al producătorului:
SIRA54DP-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIRA54DP-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Descriere detaliată:
N-Channel 40 V 60A (Tc) 36.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventar:
6000 Piese Noi Originale În Stoc
12918322
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIRA54DP-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen IV
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
40 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
2.35mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
+20V, -16V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
5300 pF @ 20 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
36.7W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® SO-8
Pachet / Carcasă
PowerPAK® SO-8
Numărul de bază al produsului
SIRA54
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SIRA54DP-T1-GE3TR-DG
SIRA54DP-T1-GE3DKR-DG
742-SIRA54DP-T1-GE3DKR
SIRA54DP-T1-GE3CT-DG
SIRA54DP-T1-GE3CT
742-SIRA54DP-T1-GE3CT
SIRA54DP-T1-GE3TR
742-SIRA54DP-T1-GE3TR
SIRA54DP-T1-GE3DKR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI8457DB-T1-E1
MOSFET P-CH 12V 4MICRO FOOT
SQD50P04-09L_GE3
MOSFET P-CH 40V 50A TO252
SI4840DY-T1-E3
MOSFET N-CH 40V 10A 8SO