SIR826LDP-T1-RE3
Numărul de produs al producătorului:

SIR826LDP-T1-RE3

Product Overview

Producător:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Cod de parte:

SIR826LDP-T1-RE3-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 80V 21.3A/86A PPAK
Descriere detaliată:
N-Channel 80 V 21.3A (Ta), 86A (Tc) 5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventar:

1818 Piese Noi Originale În Stoc
12945159
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

SIR826LDP-T1-RE3 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen IV
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
80 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
21.3A (Ta), 86A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
5mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
91 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3840 pF @ 40 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
5W (Ta), 83W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® SO-8
Pachet / Carcasă
PowerPAK® SO-8
Numărul de bază al produsului
SIR826

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
742-SIR826LDP-T1-RE3TR
Pachet standard
3,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modele alternative

NUMĂRUL PARTEI
RS3L045GNGZETB
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
1173
DiGi NUMĂR DE PARTE
RS3L045GNGZETB-DG
PREȚ UNIC
0.25
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
NTMFS08N003C
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
2948
DiGi NUMĂR DE PARTE
NTMFS08N003C-DG
PREȚ UNIC
4.10
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
RS6N120BHTB1
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
1763
DiGi NUMĂR DE PARTE
RS6N120BHTB1-DG
PREȚ UNIC
1.14
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
RS1L145GNTB
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
1003
DiGi NUMĂR DE PARTE
RS1L145GNTB-DG
PREȚ UNIC
0.81
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
vishay-siliconix

SQ2318BES-T1_GE3

MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3

vishay-siliconix

SIDR626LDP-T1-RE3

MOSFET N-CH 60V 45.6A/2.4A PPAK

vishay-siliconix

SIR882BDP-T1-RE3

MOSFET N-CH 100V 16.5/67.5A PPAK

onsemi

FDC637ANNB5E023A

MOSFET N-CH 20V 6.2A SSOT-6