Numărul de produs al producătorului:
SIR178DP-T1-RE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIR178DP-T1-RE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 20V 100A/430A PPAK
Descriere detaliată:
N-Channel 20 V 100A (Ta), 430A (Tc) 6.3W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventar:
12953875
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIR178DP-T1-RE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen IV
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
100A (Ta), 430A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
0.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
310 nC @ 10 V
Vgs (Max)
+12V, -8V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
12430 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
6.3W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® SO-8
Pachet / Carcasă
PowerPAK® SO-8
Numărul de bază al produsului
SIR178
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
742-SIR178DP-T1-RE3DKR
742-SIR178DP-T1-RE3CT
742-SIR178DP-T1-RE3TR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
RQ3E160ADTB
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
17994
DiGi NUMĂR DE PARTE
RQ3E160ADTB-DG
PREȚ UNIC
0.23
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
NTMFSC010N08M7
MOSFET N-CHANNEL 80V 61A
IRFIBF20G
MOSFET N-CH 900V 1.2A TO220-3
IRFP460APBF
MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
