Numărul de produs al producătorului:
SIR158DP-T1-RE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIR158DP-T1-RE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 60A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventar:
2537 Piese Noi Originale În Stoc
12965904
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIR158DP-T1-RE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen III
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4980 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
83W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® SO-8
Pachet / Carcasă
PowerPAK® SO-8
Numărul de bază al produsului
SIR158
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SIR158DP-T1-RE3DKR
SIR158DP-T1-RE3CT
SIR158DP-T1-RE3TR
SIR158DP-T1-RE3-DG
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
CSD17527Q5A
PRODUCĂTOR
Texas Instruments
CANTITATE DISPONIBILĂ
12150
DiGi NUMĂR DE PARTE
CSD17527Q5A-DG
PREȚ UNIC
0.40
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SIR870ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
SIB455EDK-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6
SI7469DP-T1-E3
MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
