Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
RD Congo
Argentina
Turcia
România
Lituania
Norvegia
Austria
Angola
Slovacia
ltală
Finlanda
Bielorusia
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Muntenegru
Rusă
Belgia
Suedia
Serbia
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
Moldova
Germania
Olanda
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
Franţa
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Portugalia
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spania
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
SIR104DP-T1-RE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIR104DP-T1-RE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 18.3A/79A PPAK
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 18.3A (Ta), 79A (Tc) 5.4W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventar:
RFQ Online
12920694
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIR104DP-T1-RE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen IV
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
18.3A (Ta), 79A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
6.4mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
84 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4230 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
5.4W (Ta), 100W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® SO-8
Pachet / Carcasă
PowerPAK® SO-8
Numărul de bază al produsului
SIR104
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
SIR104DP
Informații suplimentare
Alte nume
SIR104DP-T1-RE3CT
SIR104DP-T1-RE3DKR
2266-SIR104DP-T1-RE3TR
SIR104DP-RE3
SIR104DP-T1-RE3TR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
RS3L045GNGZETB
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
1173
DiGi NUMĂR DE PARTE
RS3L045GNGZETB-DG
PREȚ UNIC
0.25
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
RS6P100BHTB1
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
2725
DiGi NUMĂR DE PARTE
RS6P100BHTB1-DG
PREȚ UNIC
1.35
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
RS1L145GNTB
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
1003
DiGi NUMĂR DE PARTE
RS1L145GNTB-DG
PREȚ UNIC
0.81
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SIR774DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V
PMCM6501VNEZ
MOSFET N-CH 12V 7.3A 6WLCSP
SQM40041EL_GE3
MOSFET P-CH 40V 120A TO263
SIRA58DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8