Numărul de produs al producătorului:
SIJH5700E-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIJH5700E-T1-GE3-DG
Descriere:
N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE
Descriere detaliată:
N-Channel 150 V 17A (Ta), 174A (Tc) 3.3W (Ta), 333W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
Inventar:
12987365
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIJH5700E-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
150 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
17A (Ta), 174A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
4.1mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
140 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
7500 pF @ 75 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.3W (Ta), 333W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® 8 x 8
Pachet / Carcasă
PowerPAK® 8 x 8
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
742-SIJH5700E-T1-GE3CT
742-SIJH5700E-T1-GE3TR
742-SIJH5700E-T1-GE3DKR
Pachet standard
2,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FDD4243-G
FDD4243-G
AUIRFC8407TR
AUIRFC8407 - 30V-250V N-CHANNEL
G65P06F
MOSFET P-CH 60V 65A TO-220F
