Numărul de produs al producătorului:
SIHU7N60E-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIHU7N60E-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 7A IPAK
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 7A (Tc) 78W (Tc) Through Hole TO-251AA
Inventar:
2996 Piese Noi Originale În Stoc
12965973
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIHU7N60E-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
680 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
78W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-251AA
Pachet / Carcasă
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numărul de bază al produsului
SIHU7
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SIHU7N60EGE3
SIHU7N60E-GE3-DG
742-SIHU7N60E-GE3
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STU10N60M2
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
59
DiGi NUMĂR DE PARTE
STU10N60M2-DG
PREȚ UNIC
1.24
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
STU10NM60N
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
2990
DiGi NUMĂR DE PARTE
STU10NM60N-DG
PREȚ UNIC
1.26
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI7812DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 75V 16A PPAK1212-8
SIRA14BDP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 21A/64A PPAK SO8
PSMN1R0-40YLD/1X
MOSFET