Numărul de produs al producătorului:
SIHP21N60EF-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIHP21N60EF-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 21A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
12787152
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIHP21N60EF-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
176mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
84 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2030 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
227W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220AB
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
SIHP21
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
2266-SIHP21N60EF-GE3
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IPP60R199CPXKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
512
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPP60R199CPXKSA1-DG
PREȚ UNIC
1.75
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IPP65R190C7FKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
499
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPP65R190C7FKSA1-DG
PREȚ UNIC
1.23
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IPP60R180C7XKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
572
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPP60R180C7XKSA1-DG
PREȚ UNIC
1.23
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SQD97N06-6M3L_GE3
MOSFET N-CH 60V 97A TO252AA
SIHP25N40D-GE3
MOSFET N-CH 400V 25A TO220AB
SIHD6N80E-GE3
MOSFET N-CH 800V 5.4A DPAK