Numărul de produs al producătorului:
SIHP16N50C-E3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIHP16N50C-E3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB
Descriere detaliată:
N-Channel 500 V 16A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
963 Piese Noi Originale În Stoc
12786625
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIHP16N50C-E3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
500 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1900 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
250W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220AB
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
SIHP16
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SIHP16N50C-E3DKRINACTIVE
SIHP16N50C-E3TR-DG
SIHP16N50C-E3TRINACTIVE
SIHP16N50C-E3CT-DG
SIHP16N50C-E3DKR-DG
SIHP16N50C-E3TR
SIHP16N50C-E3CT
SIHP16N50C-E3DKR
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SISA72ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 25.4A/94A PPAK
SIA461DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
SIHB22N60ET5-GE3
MOSFET N-CH 600V 21A TO263
