Numărul de produs al producătorului:
SIHP12N50E-BE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIHP12N50E-BE3-DG
Descriere:
N-CHANNEL 500V
Descriere detaliată:
N-Channel 500 V 10.5A (Tc) 114W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
982 Piese Noi Originale În Stoc
12999545
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIHP12N50E-BE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
500 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
10.5A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
886 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
114W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220AB
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
742-SIHP12N50E-BE3
742-SIHP12N50E-BE3TR-DG
742-SIHP12N50E-BE3TR
742-SIHP12N50E-BE3CTINACTIVE
742-SIHP12N50E-BE3DKRINACTIVE
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
NTH4L040N120M3S
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
G7P03S
MOSFET P-CH 30V 9A SOP-8
GT025N06D5
MOSFET N-CH 60V 170A DFN5*6-8L
