SIHP052N60EF-GE3
Numărul de produs al producătorului:

SIHP052N60EF-GE3

Product Overview

Producător:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Cod de parte:

SIHP052N60EF-GE3-DG

Descriere:

MOSFET EF SERIES TO-220AB
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 48A (Tc) 278W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventar:

1000 Piese Noi Originale În Stoc
13140971
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

SIHP052N60EF-GE3 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tube
Serie
EF
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
48A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
52mOhm @ 23A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
101 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3380 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
278W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220AB
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
SIHP052

Fișa de date și documente

Fișe tehnice
SIHP052N60EF

Informații suplimentare

Alte nume
742-SIHP052N60EF-GE3CTINACTIVE
742-SIHP052N60EF-GE3TR-ND
742-SIHP052N60EF-GE3DKRINACTIVE
742-SIHP052N60EF-GE
Pachet standard
50

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produse Asemănătoare
vishay-siliconix

SIHA105N60EF-GE3

MOSFET N-CH 600V 12A TO220

vishay

SIHB105N60EF-GE3

MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK

vishay-siliconix

SISS94DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 200V 5.4A/19.5A PPAK

rohm-semi

R6030JNXC7G

MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM