Numărul de produs al producătorului:
SIHL620S-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIHL620S-GE3-DG
Descriere:
LOGIC MOSFET N-CHANNEL 200V
Descriere detaliată:
N-Channel 200 V 5.2A (Tc) 3.1W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
860 Piese Noi Originale În Stoc
12977693
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIHL620S-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
5.2A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
800mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
360 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.1W (Ta), 50W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263 (D2PAK)
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
742-SIHL620S-GE3TR-DG
742-SIHL620S-GE3TR
742-SIHL620S-GE3CT-DG
742-SIHL620S-GE3
742-SIHL620S-GE3DKR
742-SIHL620S-GE3DKR-DG
742-SIHL620S-GE3DKRINACTIVE
742-SIHL620S-GE3CTINACTIVE
742-SIHL620S-GE3CT
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SQJA04EP-T1_BE3
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
SIHP23N60E-BE3
N-CHANNEL 600V
SQJ459EP-T2_BE3
P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
