Numărul de produs al producătorului:
SIHJ8N60E-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIHJ8N60E-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 8A PPAK SO-8
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 8A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventar:
2923 Piese Noi Originale În Stoc
12786061
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIHJ8N60E-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
520mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
754 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
89W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® SO-8
Pachet / Carcasă
PowerPAK® SO-8
Numărul de bază al produsului
SIHJ8
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SIHJ8N60E-T1-GE3CT
SIHJ8N60E-T1-GE3TR
SIHJ8N60E-T1-GE3DKR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SIHD12N50E-GE3
MOSFET N-CH 550V 10.5A DPAK
SQD50N05-11L_GE3
MOSFET N-CH 50V 50A TO252AA
SIRA12DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8
