Numărul de produs al producătorului:
SIHH186N60EF-T1GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIHH186N60EF-T1GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 16A PPAK 8 X 8
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 16A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
Inventar:
6015 Piese Noi Originale În Stoc
12920566
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIHH186N60EF-T1GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
EF
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
193mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1081 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
114W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® 8 x 8
Pachet / Carcasă
8-PowerTDFN
Numărul de bază al produsului
SIHH186
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SIHH186N60EF-T1GE3CT
SIHH186N60EF-T1GE3CT-DG
SIHH186N60EF-T1GE3TR
742-SIHH186N60EF-T1GE3DKR
SIHH186N60EF-T1GE3TR-DG
742-SIHH186N60EF-T1GE3TR
SIHH186N60EF-T1GE3DKR
742-SIHH186N60EF-T1GE3CT
SIHH186N60EF-T1GE3DKR-DG
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SUP45N03-13L-E3
MOSFET N-CH 30V 45A TO220AB
SUM50020E-GE3
MOSFET N-CH 60V 120A TO263
BSS192,135
MOSFET P-CH 240V 200MA SOT89
