Numărul de produs al producătorului:
SIHH14N60EF-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIHH14N60EF-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 15A PPAK 8 X 8
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 15A (Tc) 147W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
Inventar:
12918291
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIHH14N60EF-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
266mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
84 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1449 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
147W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® 8 x 8
Pachet / Carcasă
8-PowerTDFN
Numărul de bază al produsului
SIHH14
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SIHH14N60EF-T1-GE3CT
SIHH14N60EF-T1-GE3TR
SIHH14N60EF-T1-GE3DKR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SQM30010EL_GE3
MOSFET N-CH 30V 120A TO263
SIA850DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 190V 950MA PPAK
SI5463EDC-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 3.8A 1206-8
