Numărul de produs al producătorului:
SIHG33N60E-E3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIHG33N60E-E3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 33A (Tc) 278W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventar:
12919187
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIHG33N60E-E3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tube
Serie
E
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
99mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3508 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
278W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247AC
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
SIHG33
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
500
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
TK28N65W,S1F
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
30
DiGi NUMĂR DE PARTE
TK28N65W,S1F-DG
PREȚ UNIC
2.69
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
SPW35N60C3FKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
198
DiGi NUMĂR DE PARTE
SPW35N60C3FKSA1-DG
PREȚ UNIC
5.72
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI7457DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
SQM120P04-04L_GE3
MOSFET P-CH 40V 120A TO263
SQM40020E_GE3
MOSFET N-CH 40V 100A TO263
