SIHG30N60E-E3
Numărul de produs al producătorului:

SIHG30N60E-E3

Product Overview

Producător:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Cod de parte:

SIHG30N60E-E3-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 29A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247AC

Inventar:

12920196
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

SIHG30N60E-E3 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
29A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2600 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
250W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247AC
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
SIHG30

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
SIHG30N60EE3
Pachet standard
500

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modele alternative

NUMĂRUL PARTEI
IPW60R099CPFKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
228
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPW60R099CPFKSA1-DG
PREȚ UNIC
4.37
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IPW60R125C6FKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
270
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPW60R125C6FKSA1-DG
PREȚ UNIC
2.62
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IPW60R070CFD7XKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
1513
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPW60R070CFD7XKSA1-DG
PREȚ UNIC
2.78
TIP SUBSTITUT
Direct
NUMĂRUL PARTEI
IPW60R099C6FKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
678
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPW60R099C6FKSA1-DG
PREȚ UNIC
3.48
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IPW65R110CFDAFKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
240
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPW65R110CFDAFKSA1-DG
PREȚ UNIC
4.28
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
vishay-siliconix

SIR662DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SQJA86EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8

nexperia

PMBF170,235

MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB

vishay-siliconix

SI5449DC-T1-E3

MOSFET P-CH 30V 3.1A 1206-8