Numărul de produs al producătorului:
SIHG25N60EFL-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIHG25N60EFL-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 25A TO247AC
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 25A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventar:
12917787
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIHG25N60EFL-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tube
Serie
E
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
146mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2274 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
250W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247AC
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
SIHG25
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STW28N60M2
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
96
DiGi NUMĂR DE PARTE
STW28N60M2-DG
PREȚ UNIC
1.56
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
FCH165N60E
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
473
DiGi NUMĂR DE PARTE
FCH165N60E-DG
PREȚ UNIC
2.86
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SIHG33N65E-GE3
MOSFET N-CH 650V 32.4A TO247AC
SIHP14N50D-GE3
MOSFET N-CH 500V 14A TO220AB
SI3424BDV-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
