Numărul de produs al producătorului:
SIHG22N60AE-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIHG22N60AE-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 20A TO247AC
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 179W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventar:
12786433
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIHG22N60AE-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tube
Serie
E
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
96 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1451 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
179W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247AC
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
SIHG22
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IPW60R180C7XKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
218
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPW60R180C7XKSA1-DG
PREȚ UNIC
1.58
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IPW60R180P7XKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
237
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPW60R180P7XKSA1-DG
PREȚ UNIC
1.54
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
STW31N65M5
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
6
DiGi NUMĂR DE PARTE
STW31N65M5-DG
PREȚ UNIC
2.20
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SISA88DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 16.2A/40.5A PPAK
SQSA80ENW-T1_GE3
MOSFET N-CH 80V 18A PPAK1212-8
SIS439DNT-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8S
