Numărul de produs al producătorului:
SIHG17N60D-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIHG17N60D-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 17A TO247AC
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 17A (Tc) 277.8W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventar:
12786377
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIHG17N60D-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
340mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1780 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
277.8W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247AC
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
SIHG17
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
SPW15N60C3FKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
232
DiGi NUMĂR DE PARTE
SPW15N60C3FKSA1-DG
PREȚ UNIC
3.04
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
STW18NM60N
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
547
DiGi NUMĂR DE PARTE
STW18NM60N-DG
PREȚ UNIC
3.00
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IXTX32P60P
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
674
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXTX32P60P-DG
PREȚ UNIC
12.45
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SIR820DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
SUM110N08-07P-E3
MOSFET N-CH 75V 110A TO263
SIHB22N60ET1-GE3
MOSFET N-CH 600V 21A TO263
