Numărul de produs al producătorului:
SIHG14N50D-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIHG14N50D-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 500V 14A TO247AC
Descriere detaliată:
N-Channel 500 V 14A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventar:
491 Piese Noi Originale În Stoc
12917313
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIHG14N50D-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
500 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
14A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1144 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
208W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247AC
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
SIHG14
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IXFH20N50P3
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
146
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXFH20N50P3-DG
PREȚ UNIC
2.74
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
STW14NK50Z
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
66
DiGi NUMĂR DE PARTE
STW14NK50Z-DG
PREȚ UNIC
1.95
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SIRA52ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 40V 41.6A/131A PPAK
SI3446ADV-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 6A 6TSOP
SI4466DY-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 9.5A 8SO
