Numărul de produs al producătorului:
SIHG11N80E-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIHG11N80E-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 800V 12A TO247AC
Descriere detaliată:
N-Channel 800 V 12A (Tc) 179W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventar:
12787054
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIHG11N80E-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tube
Serie
E
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
800 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
440mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
88 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1670 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
179W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247AC
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
SIHG11
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IXFH16N80P
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
295
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXFH16N80P-DG
PREȚ UNIC
4.52
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IXFH14N60P
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
24
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXFH14N60P-DG
PREȚ UNIC
2.65
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SIHB10N40D-GE3
MOSFET N-CH 400V 10A TO263
SUD50N03-16P-GE3
MOSFET N-CH 30V TO252
SUP50020E-GE3
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB