Numărul de produs al producătorului:
SIHFR9120-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIHFR9120-GE3-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
Descriere detaliată:
P-Channel 100 V 5.6A (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventar:
2364 Piese Noi Originale În Stoc
12919863
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIHFR9120-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
5.6A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
390 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.5W (Ta), 42W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252AA
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
SIHFR9120
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
742-SIHFR9120-GE3
SIHFR9120-GE3-DG
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRFR9120PBF
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
3925
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFR9120PBF-DG
PREȚ UNIC
0.47
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SIE802DF-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 60A 10POLARPAK
SIA110DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 5.4A/12A PPAK
SIHG47N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC
