Numărul de produs al producătorului:
SIHFR1N60A-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIHFR1N60A-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 1.4A TO252AA
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 1.4A (Tc) 36W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventar:
12965596
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIHFR1N60A-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
1.4A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
7Ohm @ 840mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
229 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
36W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252AA
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
SIHFR1
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SIHFR1N60A-GE3CTINACTIVE
SIHFR1N60A-GE3CT-DG
SIHFR1N60A-GE3DKRINACTIVE
SIHFR1N60A-GE3DKR
SIHFR1N60A-GE3DKR-DG
SIHFR1N60A-GE3CT
SIHFR1N60A-GE3TR-DG
SIHFR1N60A-GE3TR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRFR1N60APBF
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
3041
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFR1N60APBF-DG
PREȚ UNIC
0.59
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SQJQ112E-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
SIDR626LEP-T1-RE3
N-CHANNEL 60 V (D-S) 175C MOSFET
SIR182LDP-T1-RE3
N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE
