Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
SIHF18N50C-E3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIHF18N50C-E3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 500V 18A TO220-3
Descriere detaliată:
N-Channel 500 V 18A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
RFQ Online
12920606
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIHF18N50C-E3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
500 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
270mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
76 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2942 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
38W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
SIHF18
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
SIHF18N50C-E3-DG
Fișe tehnice
SIHF18N50C-E3
Informații suplimentare
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STF19NM50N
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
982
DiGi NUMĂR DE PARTE
STF19NM50N-DG
PREȚ UNIC
1.99
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
FDPF18N50T
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
1
DiGi NUMĂR DE PARTE
FDPF18N50T-DG
PREȚ UNIC
1.50
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
FDPF18N50
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
6866
DiGi NUMĂR DE PARTE
FDPF18N50-DG
PREȚ UNIC
1.25
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
TK19A45D(STA4,Q,M)
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
47
DiGi NUMĂR DE PARTE
TK19A45D(STA4,Q,M)-DG
PREȚ UNIC
1.52
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
STF23NM50N
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
STF23NM50N-DG
PREȚ UNIC
2.42
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI4447ADY-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SO
SUD70090E-GE3
MOSFET N-CH 100V 50A TO252
SI2327DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 200V 380MA SOT23-3
SI8465DB-T2-E1
MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT