Numărul de produs al producătorului:
SIHD6N62ET1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIHD6N62ET1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 620V 6A TO252AA
Descriere detaliată:
N-Channel 620 V 6A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventar:
12787179
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIHD6N62ET1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
E
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
620 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
900mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
578 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
78W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252AA
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
SIHD6
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SIHD6N62ET1-GE3DKR
SIHD6N62ET1-GE3CT
SIHD6N62ET1-GE3-DG
SIHD6N62ET1-GE3TR
Pachet standard
2,000
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STB6NK60ZT4
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
33
DiGi NUMĂR DE PARTE
STB6NK60ZT4-DG
PREȚ UNIC
1.02
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SQM120P10_10M1LGE3
MOSFET P-CH 100V 120A TO263
SUP90N06-5M0P-E3
MOSFET N-CH 60V 90A TO220AB
SUM27N20-78-E3
MOSFET N-CH 200V 27A TO263
