SIHD1K4N60E-GE3
Numărul de produs al producătorului:

SIHD1K4N60E-GE3

Product Overview

Producător:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Cod de parte:

SIHD1K4N60E-GE3-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 600V 4.2A TO252AA
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 4.2A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount DPAK

Inventar:

12918514
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

SIHD1K4N60E-GE3 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Bulk
Serie
E
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
4.2A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.45Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
7.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
172 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
63W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
DPAK
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
SIHD1

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
SIHD1K4N60E-GE3DKR
SIHD1K4N60E-GE3DKR-DG
SIHD1K4N60E-GE3TR-DG
SIHD1K4N60E-GE3DKRINACTIVE
SIHD1K4N60E-GE3CT
SIHD1K4N60E-GE3CT-DG
SIHD1K4N60E-GE3TR
SIHD1K4N60E-GE3CTINACTIVE
Pachet standard
2,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modele alternative

NUMĂRUL PARTEI
STD5N60M2
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
2500
DiGi NUMĂR DE PARTE
STD5N60M2-DG
PREȚ UNIC
0.64
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
STD5N60DM2
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
2282
DiGi NUMĂR DE PARTE
STD5N60DM2-DG
PREȚ UNIC
0.32
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IPD65R1K4C6ATMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
2410
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPD65R1K4C6ATMA1-DG
PREȚ UNIC
0.37
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
SPD03N60C3ATMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
27364
DiGi NUMĂR DE PARTE
SPD03N60C3ATMA1-DG
PREȚ UNIC
0.54
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IPD60R1K5CEAUMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
25223
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPD60R1K5CEAUMA1-DG
PREȚ UNIC
0.19
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
vishay-siliconix

SI4688DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 8.9A 8SO

vishay-siliconix

SUD15N15-95-E3

MOSFET N-CH 150V 15A TO252

vishay-siliconix

SUM110N04-03-E3

MOSFET N-CH 40V 110A TO263

vishay-siliconix

SIHFS9N60A-GE3

MOSFET N-CH 600V 9.2A TO263