Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
SIHD1K4N60E-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIHD1K4N60E-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 4.2A TO252AA
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 4.2A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventar:
RFQ Online
12918514
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIHD1K4N60E-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Bulk
Serie
E
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
4.2A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.45Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
7.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
172 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
63W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
DPAK
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
SIHD1
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
SIHD1K4N60E-GE3-DG
Fișe tehnice
SIHD1K4N60E-GE3
Informații suplimentare
Alte nume
SIHD1K4N60E-GE3DKR
SIHD1K4N60E-GE3DKR-DG
SIHD1K4N60E-GE3TR-DG
SIHD1K4N60E-GE3DKRINACTIVE
SIHD1K4N60E-GE3CT
SIHD1K4N60E-GE3CT-DG
SIHD1K4N60E-GE3TR
SIHD1K4N60E-GE3CTINACTIVE
Pachet standard
2,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STD5N60M2
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
2500
DiGi NUMĂR DE PARTE
STD5N60M2-DG
PREȚ UNIC
0.64
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
STD5N60DM2
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
2282
DiGi NUMĂR DE PARTE
STD5N60DM2-DG
PREȚ UNIC
0.32
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IPD65R1K4C6ATMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
2410
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPD65R1K4C6ATMA1-DG
PREȚ UNIC
0.37
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
SPD03N60C3ATMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
27364
DiGi NUMĂR DE PARTE
SPD03N60C3ATMA1-DG
PREȚ UNIC
0.54
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IPD60R1K5CEAUMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
25223
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPD60R1K5CEAUMA1-DG
PREȚ UNIC
0.19
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI4688DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 8.9A 8SO
SUD15N15-95-E3
MOSFET N-CH 150V 15A TO252
SUM110N04-03-E3
MOSFET N-CH 40V 110A TO263
SIHFS9N60A-GE3
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO263