SIHB22N65E-GE3
Numărul de produs al producătorului:

SIHB22N65E-GE3

Product Overview

Producător:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Cod de parte:

SIHB22N65E-GE3-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 22A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventar:

12786725
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

SIHB22N65E-GE3 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2415 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
227W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263 (D2PAK)
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
SIHB22

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
SIHB22N65E-GE3CT
SIHB22N65E-GE3TR-DG
SIHB22N65E-GE3TRINACTIVE
SIHB22N65E-GE3CT-DG
SIHB22N65E-GE3TR
Pachet standard
1,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modele alternative

NUMĂRUL PARTEI
FCB20N60FTM
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
2398
DiGi NUMĂR DE PARTE
FCB20N60FTM-DG
PREȚ UNIC
2.61
TIP SUBSTITUT
Direct
NUMĂRUL PARTEI
STB20N65M5
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
845
DiGi NUMĂR DE PARTE
STB20N65M5-DG
PREȚ UNIC
1.46
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IPB60R160C6ATMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
3347
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPB60R160C6ATMA1-DG
PREȚ UNIC
1.71
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
STB21N65M5
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
1748
DiGi NUMĂR DE PARTE
STB21N65M5-DG
PREȚ UNIC
2.31
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IXFA22N65X2
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
250
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXFA22N65X2-DG
PREȚ UNIC
2.56
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
vishay-siliconix

SIHLL110TR-GE3

MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223

vishay-siliconix

SI8816EDB-T2-E1

MOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT

vishay-siliconix

SIDR626DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 42.8A/100A PPAK

vishay-siliconix

SIR472DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8