Numărul de produs al producătorului:
SIHB15N65E-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIHB15N65E-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 15A TO263
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 15A (Tc) 34W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
12787511
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIHB15N65E-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
280mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
96 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1640 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
34W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263 (D2PAK)
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
SIHB15
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
TK14G65W,RQ
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
3525
DiGi NUMĂR DE PARTE
TK14G65W,RQ-DG
PREȚ UNIC
0.93
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
STB25N80K5
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
630
DiGi NUMĂR DE PARTE
STB25N80K5-DG
PREȚ UNIC
2.75
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SQP90142E_GE3
MOSFET N-CH 200V 78.5A TO220AB
SIJ494DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 36.8A PPAK SO-8
SIHG180N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 19A TO247AC
